Tunelamento ressonante de buraco em heteroestruturas semicondutoras de duplas barreiras submetidas a pressões externo
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Resumo
Estudamos o transporte de buracos em dupla barreira ressonante submetida a stress uniaxial, usando a técnica da matriz de espalhamento na aproximação de massa efetiva do modelo de Luttinger-Kohn-Pikus. A transmissividade é calculada para k = 0 e k ≠ 0 para o sistema GaAs /AlAs
para os esforços de compressão (T < 0) e tração (T > 0). Para k = 0, os buracos leves e pesados são desacoplados e observa-se um deslocamento rígido nas curvas de transmissividades e inversão do estado fundamental,
HH1 LH1 para o esforço de tração. No caso k ≠ 0, além da mistura das bandas que aumenta a probabilidade de transmissão, o stress muda o caráter das partícula HH LH, a separação relativa entre os estados HH e LH no poço quântico, e indiretamente, influência na mistura dos estados de valência, aumentando ou diminuindo as transmissividades dos buracos dependendo do tipo de esforço aplicado.
Abstract
Descrição
Palavras-chave
Termo controlado
Tunelamento; Buraco em heteroestruturas; Buraco em heteroestruturas; Tunneling; Holes in heterostructures
Objetivos de Desenvolvimento Sustentável (ODS)
Citação
CUNHA, Salomé Fontão. Tunelamento ressonante de buraco em heteroestruturas semicondutoras de duplas barreiras submetidas a pressões externo. 2005. 74 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Amazonas, Manaus, 2005.
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