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Campo DCValorIdioma
dc.contributor.advisor1Eduardo Adriano Cotta-
dc.creatorCarlos Eduardo de Almeida Brito-
dc.date.accessioned2016-09-23T15:07:42Z-
dc.date.available2016-09-23T15:07:42Z-
dc.date.issued2010-07-29-
dc.identifier.urihttp://riu.ufam.edu.br/handle/prefix/1772-
dc.description.resumoO objetivo deste trabalho é desenvolver estruturas semicondutoras injetoras de correntes spin-polarizadas. Para atingir este objetivo iremos explorar as propriedades de Afinidade Eletrônica Negativa (AEN) na interface Cs-GaAs de forma a realçar a interface ferromagnética-semicondutor (junção Schottky) aumentando o grau de polarização de spin. O grau de polarização de spin é identificado pela emissão circularmente polarizada da junção p-i-n . Inicialmente será analisada uma amostra constituída de GaAs (311) dopada com Si contendo um poço quântico de GaAs de 100Å crescida por MBE (Epitaxia de Feixe Molecular). Este primeiro diodo receberá um contato não-magnético tradicional de In e InZn, na qual serão realizadas medidas das propriedades elétricas e opto-eletrônicas desta estrutura.pt_BR
dc.description.sponsorshipCNPQpt_BR
dc.formatPDF-
dc.languagept_BRpt_BR
dc.publisherUniversidade Federal do Amazonaspt_BR
dc.publisher.countryBrasilpt_BR
dc.publisher.departmentFísicapt_BR
dc.publisher.departmentInstituto de Ciências Exataspt_BR
dc.publisher.programPrograma PIBIC 2009pt_BR
dc.publisher.initialsUFAMpt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.subjectSpin-
dc.subjectSemicondutorespor
dc.subjectLuminescênciapor
dc.subject.cnpqCIÊNCIAS EXATAS E DA TERRA: FÍSICApt_BR
dc.titlePropriedades opto-eletrônicas de junções p-i-n injetoras de spinpt_BR
dc.typeRelatório de Pesquisapt_BR
dc.pibic.cursoFísica - Bachareladopt_BR
dc.pibic.nrprojetoPIB-E/0008/2009-
dc.pibic.projetoPropriedades opto-eletrônicas de junções p-i-n injetoras de spin-
dc.pibic.dtinicio2009-08-13-
dc.pibic.dtfim2010-07-29-
Aparece nas coleções:Relatórios finais de Iniciação Científica - Ciências Exatas e da Terra

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