metadata.dc.type:	Relatório de Pesquisa
Título :	Propriedades opto-eletrônicas de junções p-i-n injetoras de spin
metadata.dc.creator:	Carlos Eduardo de Almeida Brito
metadata.dc.contributor.advisor1:	Eduardo Adriano Cotta
metadata.dc.description.resumo:	O objetivo deste trabalho é desenvolver estruturas semicondutoras injetoras de correntes spin-polarizadas. Para atingir este objetivo iremos explorar as propriedades de Afinidade Eletrônica Negativa (AEN) na interface Cs-GaAs de forma a realçar a interface ferromagnética-semicondutor (junção Schottky) aumentando o grau de polarização de spin. O grau de polarização de spin é identificado pela emissão circularmente polarizada da junção p-i-n . Inicialmente será analisada uma amostra constituída de GaAs (311) dopada com Si contendo um poço quântico de GaAs de 100Å crescida por MBE (Epitaxia de Feixe Molecular). Este primeiro diodo receberá um contato não-magnético tradicional de In e InZn, na qual serão realizadas medidas das propriedades elétricas e opto-eletrônicas desta estrutura.
Palabras clave :	Spin Semicondutores Luminescência
metadata.dc.subject.cnpq:	CIÊNCIAS EXATAS E DA TERRA: FÍSICA
metadata.dc.language:	pt_BR
metadata.dc.publisher.country:	Brasil
Editorial :	Universidade Federal do Amazonas
metadata.dc.publisher.initials:	UFAM
metadata.dc.publisher.department:	Física Instituto de Ciências Exatas
metadata.dc.publisher.program:	Programa PIBIC 2009
metadata.dc.rights:	Acesso Aberto
URI :	http://riu.ufam.edu.br/handle/prefix/1772
Fecha de publicación :	29-jul-2010
Aparece en las colecciones:	Relatórios finais de Iniciação Científica - Ciências Exatas e da Terra

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