Tipo de documento:	Relatório de Pesquisa
Título:	Propriedades opto-eletrônicas de junções p-i-n injetoras de spin
Autor(a):	Carlos Eduardo de Almeida Brito
Orientador(a):	Eduardo Adriano Cotta
Resumo:	O objetivo deste trabalho é desenvolver estruturas semicondutoras injetoras de correntes spin-polarizadas. Para atingir este objetivo iremos explorar as propriedades de Afinidade Eletrônica Negativa (AEN) na interface Cs-GaAs de forma a realçar a interface ferromagnética-semicondutor (junção Schottky) aumentando o grau de polarização de spin. O grau de polarização de spin é identificado pela emissão circularmente polarizada da junção p-i-n . Inicialmente será analisada uma amostra constituída de GaAs (311) dopada com Si contendo um poço quântico de GaAs de 100Å crescida por MBE (Epitaxia de Feixe Molecular). Este primeiro diodo receberá um contato não-magnético tradicional de In e InZn, na qual serão realizadas medidas das propriedades elétricas e opto-eletrônicas desta estrutura.
Palavras-chave:	Spin Semicondutores Luminescência
Área de conhecimento - CNPQ:	CIÊNCIAS EXATAS E DA TERRA: FÍSICA
Idioma:	pt_BR
País de publicação:	Brasil
Editor:	Universidade Federal do Amazonas
Sigla da Instituição:	UFAM
Faculdade, Instituto ou Departamento:	Física Instituto de Ciências Exatas
Nome do programa:	Programa PIBIC 2009
Tipo de acesso:	Acesso Aberto
URI:	http://riu.ufam.edu.br/handle/prefix/1772
Data do documento:	29-jul-2010
Aparece nas coleções:	Relatórios finais de Iniciação Científica - Ciências Exatas e da Terra

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